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“如果要用一句话概括，那就是这款光刻胶是我专门为多重曝光技术而设计的产品。”
当陈星听见这句话那刻，心中也泛起了波澜。
因为没有135极紫外光的euv光刻机，各个环节都需要配合多重曝光技术去设计。
想弄更先进的光刻胶？
不好意思。
48纳米duv光刻机不支持！
因为48纳米的duv光刻胶照射出来的光源是193纳米，如果光刻胶不能适配这个数值，那将无法参与芯片生产。
“辛苦了。”
纵使有千言万语，陈星也只能化作这三个字。
他已经打定主意了，只要光刻工厂宣布建设完成，并投入使用那刻，就是彻底与西方摊牌，半导体领域全面反击的时刻。
“职责所在。”朱明月淡淡一笑，又拿起旁边的罐子道“刚才的是正胶，这罐是反胶，总裁可以带回去试试效果。”
虽然光刻胶种类多，大致分为六种，不过40纳米以下芯片用的光刻胶一般都是arf光刻胶，而它又区分正反胶。
何为光刻正反胶？
就比如说arf光刻胶的正胶，它被紫外光照射后，照射区域的化学性质会变得容易溶解，因此经过曝光的区域会被移除，形成电路图案，未曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。
至于arf光刻胶的反胶，它被紫外光照射则截然相反，未曝光区域的化学性质变得容易溶解，因此未经曝光的区域会被移除，形成图案，经曝光的区域则保持不变，形成所需的结构。
光刻正反胶，它们分别对应了不同的光刻生产工艺，也是硅片曝光的必备。
“对了。”
朱明月在拿出光刻胶后，还不忘提一嘴道“这款光刻胶阻抗是10的20次方，领先jr株式会社、t东京应化5个次方。
“阻抗越高，就代表光刻胶纯度越高，纯度不足就会造成硅片污染，这款光刻胶总的来说就四个字，遥遥领先。”
“遥遥领先…”
陈星听见后难掩心中激动。
前有16英寸半导体硅片，后有10^20arf光刻胶，芯片生产原材料方面算是初步闭环了。
为什么说初步闭环，而不是说全面闭环？
那是因为光刻胶主要成分是感光树脂、光敏剂，溶剂，这里面还有材料细分。
就比如说感光树脂，它的成分是甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯，同样依赖半岛进口。
光敏剂同样如此，被东洋合成工业株式会社、富士胶片垄断，均是霓虹岛国企业。
芯片领域越往下深挖就会发现，龙国落后的可不是一星半点。
上到光刻机、eda软件，下到半导体硅片、光刻胶等配套试剂。
你以为这就完了？
合成光刻胶的化学材料，也被人家所垄断。
这也就是为什么，陈星不急于公开芯片材料技术的原因。
因为还有底层的东西没解决，就不适合太张扬。
目前来说，提供为甲基丙烯酸酯和丙烯酸酯的
