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不过很快吴德义就释然了，自己现在工作的智云科技可是一年数百亿美元营收，毛利润都有一百多亿美元的跨国科技巨头，其利益绑定以及自身的现金流是极其恐怖的，和寻常企业那是两码事。
吴德义不知道最后公司会怎么解决这些专利问题，但是既然公司说了不用担心，他也就不管那么多了，继续搞就是了。
当即吴德义收拾了心情，继续给徐申学解释道：“利用浸润式光刻机，则是可以向下突破四十五纳米工艺，做到四十五纳米乃至二十八纳米工艺，我们公司的下一步目标就是四十五纳米，然后是二十八纳米，逼近DUV浸润式光刻机的物理极限！”
徐申学道：“二十八纳米就是极限了？我听说不是正在搞比节点更低的工艺吗？听说台积电那边的二十八纳米节点已经差不多可以用了，兴许明年就能用上了！”
“同时还听说他们打算把工艺节点进一步往前推移到二十纳米的节点呢！”
吴德义道：“其实二十八纳米已经逼近这种DUV浸润式光刻机的物理极限了，虽然特定情况下单次曝光可以达到二十二纳米左右的程度，但是没有什么实际价值。”
“DUV浸润式光刻机的单次曝光，其成熟工艺基本就限定在二十八纳米了。”
这个时候，一旁的丁成军也道：“这也是为什么193纳米波长的DUV浸润式光刻机，又被称之为28纳米光刻机的主要缘故……就是这种光刻机的理论物理极限就是单次曝光二十八纳米了！”
“据我所知，台积电，英特尔等公司尝试着让DUV浸润式光刻机，在逼近了193波长的物理极限后，通过改变芯片设计，然后做出来等效工艺，但是栅极长度并不会有太大的改变了。”
吴德义这个时候也道：“此外还可以采用多重曝光工艺。”
“如果利用多重曝光技术，193纳米分辨率的浸润式光刻机，理论上甚至能够做到等效十多纳米乃至更低等效工艺的芯片……只不过工艺过于复杂，目前还没有公司在这一技术领域获得过成功。”
“实际上，使用多重曝光技术的话，远不如直接使用光源分辨率更小的EUV光刻机来的简单直接，成本还低。”
徐申学听了后，回忆了一番自己所记得的一些芯片方面的信息，但是能记起来的也不多……也就是什么十四纳米，七纳米，五纳米这些。
他并不知道，二十八纳米以及往上的工艺，计算芯片工艺的时候采用的是栅极长度。
但是到了二十八纳米之下，芯片工艺计算的方式是‘半间距’，算出来的工艺是等效工艺，比如十四纳米工艺……这其实是等效工艺！
而且不同的芯片代工厂因为工艺的差异或者营销的需求，往往会计算等效工艺的公式还不一样，很容易就让人迷惑了。
比如台积电七纳米和英特尔10纳米……这俩玩意虽然工艺不一样，称呼不一样，但实际上性能都差不多，可以简单粗暴的理解为同一技术水准的东西。
但是徐申学却是知道：台积电等效七纳米或英特尔等效十纳米工艺
